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論文

Structure and electrical characterization of VN$$_{x}$$ prepared by reactive pulsed laser deposition

Dai, Z.*; 宮下 敦巳; 山本 春也; 鳴海 一雅; 楢本 洋

Journal of Physics; Condensed Matter, 11(3), p.733 - 740, 1999/00

https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/3/012
 被引用回数：2 パーセンタイル：16.46(Physics, Condensed Matter)

窒素ガスふん囲気のもとでV金属を蒸発させることにより、サファイア基板上にVN$$_{x}$$薄膜を合成し、結晶性及び化学量論比を、AES,XRD,RBS/チャネリング法により評価した。その結果、ほとんど化学量論比に近いVN$$_{0.96}$$層がサファイア(0001)基板と一軸に沿って整合した形で(双晶を形成)成長する条件を見いだした。電気特性に関しては、抵抗比(10Kと300K)が1.4~3となり、少し低い値となっているが、これは双晶構造を反映したものと考えられる。

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